г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

S200-50 Microsemi

Артикул
S200-50
Бренд
Microsemi
Описание
RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX, RF Transistor NPN 110V 30A 1.5MHz ~ 30MHz 320W Chassis Mount 55HX
Цена
5 636 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Series
-
Other Names
S200-50-ND,150-S200-50
Power - Max
320W
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
110V
Frequency - Transition
1.5MHz ~ 30MHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
-
Gain
12dB ~ 14.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 1A, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
55HX
Package / Case
55HX
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max)
30A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MS2213
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214, RF Transistor NPN 55V 3.5A 960MHz ~ 1.215GHz 75W Chassis Mount M214
Подробнее
Артикул: 1N5388B
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE ZENER 200V 5W T18, Zener Diode 200 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: MS2392
Бренд: Microsemi
Описание: RF POWER TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: 2N2221AUA
Бренд: Microsemi
Описание: TRANS NPN 50V 0.8A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA - 650 mW Surface Mount 4-SMD
Подробнее
Артикул: MS1019
Бренд: Microsemi
Описание: RF POWER TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: 2N6782
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39, N-Channel 100 V 3.5A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-39
Подробнее