г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4004 NTE Electronics

Артикул
1N4004
Бренд
NTE Electronics
Описание
R-SI 400V 1A, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N4004.jpg
Supplier Device Package
DO-41
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
400 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 1 A
Reverse Recovery Time (trr)
2 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 400 V
Capacitance @ Vr, F
-
Package / Case
DO-204AL, DO-41, Axial
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-1N4004
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP127
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP2955
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 15A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 2N2219A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: TIP33C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 10A TO218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 10 A 3MHz 80 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N752A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35, Zener Diode 5.6 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее