г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4148 NTE Electronics

Артикул
1N4148
Бренд
NTE Electronics
Описание
D-SI 100PRV .01A, Diode Standard 75 V 150mA Through Hole DO-35
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N4148.jpg
Supplier Device Package
DO-35
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
75 V
Current - Average Rectified (Io)
150mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 10 mA
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 75 V
Capacitance @ Vr, F
-
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Speed
Small Signal =
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Other Names
2368-1N4148
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE469
Бренд: NTE Electronics
Описание: JFET-N-CHANNEL SWITCH, JFET N-Channel 35 V 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N757A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5237B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N5230B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.7V 500MW, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: TIP32C
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее