г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4154 NTE Electronics

Артикул
1N4154
Бренд
NTE Electronics
Описание
D-SI 35PRV .03A, Diode Standard 35 V 100mA Through Hole DO-35
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/1N4154.jpg
Supplier Device Package
DO-35
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
35 V
Current - Average Rectified (Io)
100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 30 mA
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 25 V
Capacitance @ Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Speed
Small Signal =
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Other Names
2368-1N4154
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5347B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 10V 5W AXIAL, Zener Diode 10 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N3704
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AMP DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N4033
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N3415
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: RGP30D
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 3A FAST SW, Diode Standard 200 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее