г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4735A NTE Electronics

Артикул
1N4735A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 6.2V 1W AXIAL, Zener Diode 6.2 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Цена
23 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N4735A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
6.2 V
Power - Max
1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
10 µA @ 3 V
Tolerance
±0.5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N4735A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 20°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
2 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE222
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 25V 50MA TO72, N-Channel 25 V 50mA (Tj) 360mW (Ta), 1.2mW (Tc) Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: NTE126
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 15V TO18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 15 V 300MHz 150 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 1N965B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW DO7, Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: 2N6059
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 12 A 4MHz 150 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: 2N4033
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO39, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: NTE103A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor NPN 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Подробнее