г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4741A NTE Electronics

Артикул
1N4741A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 11V 1W AXIAL, Zener Diode 11 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Цена
21 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N4741A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
11 V
Power - Max
1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 8.4 V
Tolerance
±0.5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N4741A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 20°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
8 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N4912
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 4A TO66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A - 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее
Артикул: TIP122
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 5A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MPSA42
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 300V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1N4531
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .01A, Diode Standard 75 V 125mA Through Hole DO-34
Подробнее
Артикул: 2N4399
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 30 A 4MHz 5 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: NTE159
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 800MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 800 mA - 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее