г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4764A NTE Electronics

Артикул
1N4764A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 100V 1W AXIAL, Zener Diode 100 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Цена
37 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N4764A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
100 V
Power - Max
1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 76 V
Tolerance
±0.5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N4764A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 20°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
350 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6609
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 140V 16A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 16 A - 150 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 2N3904
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N3415
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: NTE2329
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 200V 15A TO3PBL, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 15 A 25MHz 150 W Through Hole TO-3PBL
Подробнее
Артикул: NTE583
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE-SI SCHOTTKY UHF/VHF, Diode Standard 70 V 15mA (DC) Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MJ10023
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 40 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее