г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5256B NTE Electronics

Артикул
1N5256B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 30V 500MW, Zener Diode 30 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Цена
18 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5256B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
30 V
Power - Max
500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 23 V
Tolerance
±0.5%
Supplier Device Package
-
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5256B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
49 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6284
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 20 A - 160 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 2N5430
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 7A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7 A 30MHz 40 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: 1N5342B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL, Zener Diode 6.8 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: TIP126
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 5 A 4MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N5381B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 130V 5W AXIAL, Zener Diode 130 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N4401
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее