г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5335B NTE Electronics

Артикул
1N5335B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL, Zener Diode 3.9 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5335B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
3.9 V
Power - Max
5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 1 A
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
T-18, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5335B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
2 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5256B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 30V 500MW, Zener Diode 30 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N5342B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL, Zener Diode 6.8 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N825A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: TIP29A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N2646
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-SI- UNIJUNCTION, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Подробнее
Артикул: MPS6518
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AUDIO AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее