г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5335B NTE Electronics

Артикул
1N5335B
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL, Zener Diode 3.9 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N5335B.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
3.9 V
Power - Max
5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2 V @ 1 A
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
Axial
Package / Case
T-18, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N5335B
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
2 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5430
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 7A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7 A 30MHz 40 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: PN2222A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 270MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N5882
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 15A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 4MHz 160 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N4743A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 1W AXIAL, Zener Diode 13 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N7000
Бренд: NTE Electronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92, N-Channel 60 V 200mA (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N5366
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее