г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N749A NTE Electronics

Артикул
1N749A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35, Zener Diode 4.3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Цена
23 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N749A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
4.3 V
Power - Max
500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr
2 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 200 mA
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
DO-35
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N749A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
22 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BU406D
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7 A 10MHz 60 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTE5812
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-100PRV 6A, Diode Standard 100 V 6A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NTE236
Бренд: NTE Electronics
Описание: RF TRANS NPN 25V TO220, RF Transistor NPN 25V 6A - 1.7W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N2925
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 100MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 100 mA 160MHz 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N914B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее