г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N750A NTE Electronics

Артикул
1N750A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Цена
23 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N750A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
4.7 V
Power - Max
500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr
2 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 200 mA
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
DO-35
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N750A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
19 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5882
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 15A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 4MHz 160 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N5359B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 24V 5W AXIAL, Zener Diode 24 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NTE399
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-VIDEO OUTPUT TO-92M, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92L
Подробнее
Артикул: NTE6359
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000PRV 300A ANO CASE, Diode Standard 1000 V 300A Stud Mount DO-9
Подробнее
Артикул: 1N5382B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 140V 5W T18, Zener Diode 140 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: NTE103A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor NPN 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Подробнее