г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N821A NTE Electronics

Артикул
1N821A
Бренд
NTE Electronics
Описание
DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Цена
658 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/1N821A.jpg
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
6.2 V
Power - Max
400 mW
Tolerance
±5%
Supplier Device Package
DO-35
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Standard Package
1
Other Names
2368-1N821A
HTSUS
8541.10.0050
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Impedance (Max) (Zzt)
15 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5460
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: NTE6412
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-DIAC 63V+-7V 2A, Diac/Sidac Thyristor 56 ~ 70V -
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N5366
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1N5368B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 47V 5W AXIAL, Zener Diode 47 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N5882
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 15A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 4MHz 160 W Through Hole TO-3
Подробнее