2N2102 NTE Electronics
Артикул
2N2102
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 1 A - 1 W Through Hole TO-39
Цена
234 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N2102.jpg
Supplier Device Package
TO-39
Power - Max
1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max)
2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Standard Package
1
Other Names
2368-2N2102
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут