г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2905A NTE Electronics

Артикул
2N2905A
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Through Hole TO-39
Цена
360 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N2905A.jpg
Supplier Device Package
TO-39
Power - Max
600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Standard Package
1
Other Names
2368-2N2905A
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4002
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 100V 1A, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1N5333B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL, Zener Diode 3.3 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MJ15004
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 140V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 20 A 2MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N5356B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 19V 5W AXIAL, Zener Diode 19 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5380B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 120V 5W AXIAL, Zener Diode 120 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N4123
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Подробнее