г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3055 NTE Electronics

Артикул
2N3055
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A - 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
339 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N3055.jpg
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Power - Max
115 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N3055
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE4353
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PWR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: TIP42C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 6A TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N757A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5361B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 27V 5W AXIAL, Zener Diode 27 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N4531
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .01A, Diode Standard 75 V 125mA Through Hole DO-34
Подробнее