г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3714 NTE Electronics

Артикул
2N3714
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 80V 10A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Цена
310 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N3714.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 2V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N3714
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5060
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400PRV 1A, Diode Avalanche 400 V 3A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: 2N5303
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 20 A 2MHz 200 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N960B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N4402
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 600MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N2219A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: TIP116
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 2 A 25MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее