г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3819 NTE Electronics

Артикул
2N3819
Бренд
NTE Electronics
Описание
T- JFET N CHANNEL, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92
Цена
307 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/2N3819.jpg
Noise Figure
-
Gain
-
Supplier Device Package
TO-92
Power - Output
-
Frequency
-
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Rated
25 V
Current Rating (Amps)
-
Standard Package
1
Other Names
2368-2N3819
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Transistor Type
N-Channel JFET

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N751A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP141
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: TIP29A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N6259
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 150V 16A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 16 A - 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: MMBT2907A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NTE147A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 33V 1W DO35, Zener Diode 33 V 1 W Through Hole DO-35
Подробнее