г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4125 NTE Electronics

Артикул
2N4125
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 200 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Цена
21 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N4125.jpg
Supplier Device Package
TO-92
Power - Max
625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 2mA, 1V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-2N4125
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE583
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE-SI SCHOTTKY UHF/VHF, Diode Standard 70 V 15mA (DC) Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N5172
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: TIP32B
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: UF5408
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000V 3A ULTRA FAST, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: UF4003
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее