г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4403 NTE Electronics

Артикул
2N4403
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 40V 600MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Цена
18 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N4403.jpg
Supplier Device Package
TO-92
Power - Max
625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-2N4403
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N2905A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: MJE4343
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 160V 16A SOT93, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: TIP31B
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4935
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200PRV 1A, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N2219A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N4755A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 43V 1W AXIAL, Zener Diode 43 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее