г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4912 NTE Electronics

Артикул
2N4912
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 4A TO66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A - 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Цена
532 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N4912.jpg
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Power - Max
25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Standard Package
1
Other Names
2368-2N4912
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5404
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400 PRV 3A, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: TO220-MICA
Бренд: NTE Electronics
Описание: MICA FOR TO220, Component Insulator TO-220 Rectangular - -
Подробнее
Артикул: MPSL51
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 200 mA 60MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: NTE393
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 25A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 2N6109
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MPSA12
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20 V - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее