г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4923 NTE Electronics

Артикул
2N4923
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 80V 1A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N4923.jpg
Supplier Device Package
TO-126
Power - Max
30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 500mA, 1V
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N4923
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5357B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 20V 5W AXIAL, Zener Diode 20 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5400
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50 PRV 3A, Diode Standard 50 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: MJ15003
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 140V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 20 A 2MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: RGP30M
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000V 3A FAST SW, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N4401
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MPSA12
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20 V - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее