г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5172 NTE Electronics

Артикул
2N5172
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 25V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5172.jpg
Supplier Device Package
TO-92-3
Power - Max
625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-2N5172
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6714
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 30V 2A TO237, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 2 A - Through Hole TO-237
Подробнее
Артикул: 1N5059
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200PRV 1A, Diode Avalanche 200 V 3A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: 2N5400
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 120V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 1N5336B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 5W AXIAL, Zener Diode 4.3 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N6488
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N6667
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее