г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5301 NTE Electronics

Артикул
2N5301
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 40V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-3
Цена
730 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5301.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 10A, 2V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N5301
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
2MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N755A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N4402
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 40V 600MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5344B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 5W AXIAL, Zener Diode 8.2 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N4751A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 30V 1W AXIAL, Zener Diode 30 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MPSA92
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 300V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MJ10012
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее