г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5428 NTE Electronics

Артикул
2N5428
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 80V 7A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 7 A 20MHz 40 W Through Hole TO-66
Цена
1 254 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5428.jpg
Supplier Device Package
TO-66
Power - Max
40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Standard Package
1
Other Names
2368-2N5428
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
20MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5243B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 500MW, Zener Diode 13 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: TIP151
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N753A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N4399
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 30 A 4MHz 5 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N4734A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 5.6V 1W AXIAL, Zener Diode 5.6 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MPSA13
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее