г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5485 NTE Electronics

Артикул
2N5485
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-JFET N CHANNEL, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 4 mA - 20dB - TO-92
Цена
138 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/2N5485.jpg
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Frequency
-
Power - Output
-
Supplier Device Package
TO-92
Gain
20dB
Noise Figure
2.5dB
Current - Test
4 mA
Transistor Type
N-Channel JFET
Voltage - Rated
25 V
Current Rating (Amps)
10mA
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2368-2N5485
Standard Package
1
Voltage - Test
15 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE180
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: TIP117
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N5384B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 160V 5W AXIAL, Zener Diode 160 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5819
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SCHOTTKY 40V 1A, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N5400
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 120V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: TIP150
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее