2N5771 NTE Electronics
Артикул
2N5771
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- RF/IF AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 15 V 200 mA - 350 mW Through Hole TO-92-3
Цена
517 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N5771.jpg
Supplier Device Package
TO-92-3
Power - Max
350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 300mV
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-2N5771
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут