г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6028 NTE Electronics

Артикул
2N6028
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PROG UNIJUNCTION, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Цена
267 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Programmable Unijunction, Транзисторы - программируемые однопереходные
Image
files/2N6028.jpg
Current - Valley (Iv)
25 µA
Current - Gate to Anode Leakage (Igao)
10 nA
Voltage - Offset (Vt)
600 mV
Power Dissipation (Max)
300 mW
Voltage - Output
11V
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage
40V
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6028
HTSUS
8541.21.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bag
Series
-
Current - Peak
150 nA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE167
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI BRIDGE 200V 2A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole 4-SIP
Подробнее
Артикул: 1N5348B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 11V 5W AXIAL, Zener Diode 11 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: TIP30A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V 1A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N4741A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 11V 1W AXIAL, Zener Diode 11 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MPSA63
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 1.2 A 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N4124
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее