г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6052 NTE Electronics

Артикул
2N6052
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 12 A - 150 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Цена
689 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6052.jpg
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Power - Max
150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6052
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT3904
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 2N2646
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-SI- UNIJUNCTION, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Подробнее
Артикул: 1N4005
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 600V 1A, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N2219A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: MPSA12
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20 V - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 1N5392
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 100V 1.5A, Diode Standard 100 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее