2N6109 NTE Electronics
Артикул
2N6109
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6109.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 2.5A, 4V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6109
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
10MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут