2N6387 NTE Electronics
Артикул
2N6387
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
219 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6387.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 3V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6387
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут