г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6714 NTE Electronics

Артикул
2N6714
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 30V 2A TO237, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 2 A - Through Hole TO-237
Цена
110 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6714.jpg
Package / Case
TO-237AA
Supplier Device Package
TO-237
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6714
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4755A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 43V 1W AXIAL, Zener Diode 43 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N4735A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 1W AXIAL, Zener Diode 6.2 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N457A
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 70PRV .1A, Diode Standard 70 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP125
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4002
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 100V 1A, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MPSA13
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее