г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6727 NTE Electronics

Артикул
2N6727
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 40V 2A TO237, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 2 A 500MHz 1 W Through Hole TO-237
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6727.jpg
Supplier Device Package
TO-237
Power - Max
1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 1A, 1V
Package / Case
TO-237AA
Standard Package
1
Other Names
2368-2N6727
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
500MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N756A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: UF4004
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N6387
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP34C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 10A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 10 A 3MHz 80 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 2N5460
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N6488
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
Подробнее