г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF350 NTE Electronics

Артикул
IRF350
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET N-CH 400V 14A TO3, N-Channel 400 V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Цена
3 994 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF350.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Supplier Device Package
TO-3
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Other Names
2368-IRF350
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N3600
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI .001A, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N5460
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5397
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 600V 1.5A, Diode Standard 600 V 1.5A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: 2N3055
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A - 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MPSA63
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 1.2 A 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N4454
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 75PRV .01A, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее