г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF350 NTE Electronics

Артикул
IRF350
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET N-CH 400V 14A TO3, N-Channel 400 V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Цена
3 994 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF350.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Supplier Device Package
TO-3
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Other Names
2368-IRF350
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE340
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 300V 500MA TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: 1N5818
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SCHOTTKY 30V 1A, Diode Schottky 30 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1N4935
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200PRV 1A, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N4401
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5257B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 33V 500MW, Zener Diode 33 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N5819
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SCHOTTKY 40V 1A, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее