г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF730 NTE Electronics

Артикул
IRF730
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220, N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
343 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF730.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
9999.99.9999
Other Names
2368-IRF730
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJ4502
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MJE172
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: NTE103A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor NPN 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Подробнее
Артикул: MMBT2222A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 300MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 2N6039
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: 1N5350B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 5W AXIAL, Zener Diode 13 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее