г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF730 NTE Electronics

Артикул
IRF730
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220, N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
343 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF730.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
9999.99.9999
Other Names
2368-IRF730
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N965B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW DO7, Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: NTE392
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 25A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: NTE131
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 32V 1A TO66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 1 A - 6 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: UF4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-1000V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N5234B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее