MJ10012 NTE Electronics
Артикул
MJ10012
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 175 W Through Hole TO-3
Цена
1 364 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJ10012.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 3A, 6V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MJ10012
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут