г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE180 NTE Electronics

Артикул
MJE180
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 40V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJE180.jpg
Supplier Device Package
TO-126
Power - Max
12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MJE180
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
50MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N825A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N5347B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 10V 5W AXIAL, Zener Diode 10 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N751A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: NTE103
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN GE-AF PREAMP DR PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: UF4001
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее