г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT2907A NTE Electronics

Артикул
MMBT2907A
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
21 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT2907A.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MMBT2907A
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N747A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35, Zener Diode 3.6 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5377B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 91V 5W T18, Zener Diode 91 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: 1N4448
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .3A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N3772
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 20 A 200kHz 150 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: TIP151
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N6667
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее