г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT5551 NTE Electronics

Артикул
MMBT5551
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- SWITCHING, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
31 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT5551.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MMBT5551
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4007
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 1A 1000V DO-41 STD., Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N4448
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .3A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5234B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: 1N4736A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 1W AXIAL, Zener Diode 6.8 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N5460
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Подробнее