г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT918 NTE Electronics

Артикул
MMBT918
Бренд
NTE Electronics
Описание
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
52 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/MMBT918.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
225mW
Gain
15dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15V
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition
600MHz
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Standard Package
1
Other Names
2368-MMBT918
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Noise Figure (dB Typ @ f)
6dB @ 60MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBTA06
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- DRIVER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N5245B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW, Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: TIP111
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 2 A 25MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4446
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .02A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N4401
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 2N2905A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Through Hole TO-39
Подробнее