MPSA12 NTE Electronics
Артикул
MPSA12
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- DARL PREAMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20 V - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Цена
28 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MPSA12.jpg
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Power - Max
625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 10µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20000 @ 10mA, 5V
Standard Package
1
Other Names
2368-MPSA12
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут