г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE102A NTE Electronics

Артикул
NTE102A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 1A TO1, Bipolar (BJT) Transistor PNP 1 A - 650 mW Through Hole TO-1
Цена
1 521 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE102A.jpg
Package / Case
TO-1-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-1
Power - Max
650 mW
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
170mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
25µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
69 @ 300mA, 0V
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE102A
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
90°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTE190
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 180V 1A TO202N, Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 1 A 35MHz 10 W Through Hole TO-202N
Подробнее
Артикул: 2N6287
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 20A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 20 A - 160 W Chassis Mount TO-3
Подробнее
Артикул: NTE2331
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 800V 6A TO3PML, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 6 A - 60 W Through Hole TO-3PML
Подробнее
Артикул: NTE2547
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 8A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N3019
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PREAMP DR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N5819
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SCHOTTKY 40V 1A, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее