г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE127 NTE Electronics

Артикул
NTE127
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 320V 10A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 320 V 10 A - 5 W Through Hole TO-3
Цена
6 097 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE127.jpg
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
320 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 400mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 6A, 3V
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE127
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 85°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP120
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N6028
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PROG UNIJUNCTION, Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Подробнее
Артикул: 1N5711
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SCHOTTKY 70V, RF Diode Schottky - Single 70V 15 mA 250 mV -
Подробнее
Артикул: 1N959B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: UF4001
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MJE13006
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220
Подробнее