г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE131 NTE Electronics

Артикул
NTE131
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 32V 1A TO66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 1 A - 6 W Through Hole TO-66
Цена
1 133 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE131.jpg
Supplier Device Package
TO-66
Power - Max
6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
80mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
36 @ 1A, 0V
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE131
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
90°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N457A
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 70PRV .1A, Diode Standard 70 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N5343B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL, Zener Diode 7.5 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N4126
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5822
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SCHOTTKY 40V 3A, Diode Schottky 40 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N5192
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 2MHz 40 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: 2N5550
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее