г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE177 NTE Electronics

Артикул
NTE177
Бренд
NTE Electronics
Описание
D-SI-GEN PURP DET 200 PRV, Diode Standard 200 V 250mA Through Hole DO-35
Цена
103 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/NTE177.jpg
Supplier Device Package
DO-35
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Current - Average Rectified (Io)
250mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 200 mA
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 nA @ 150 V
Capacitance @ Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Package
1
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
2368-NTE177
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5232B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 5.6V 500MW, Zener Diode 5.6 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: RGP30G
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-400V 3A FAST SW, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 2N5886
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 25A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: TIP116
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 2 A 25MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJ15015
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI HIGH POWER AUDIO TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 15 A 6MHz 180 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N6052
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 12 A - 150 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее