г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE229 NTE Electronics

Артикул
NTE229
Бренд
NTE Electronics
Описание
RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO92, RF Transistor NPN 30V 50mA 500MHz 425mW Through Hole TO-92
Цена
324 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/NTE229.jpg
Supplier Device Package
TO-92
Power - Max
425mW
Gain
28dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition
500MHz
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE229
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Noise Figure (dB Typ @ f)
6dB @ 45MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5382B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 140V 5W T18, Zener Diode 140 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: TIP147
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 10A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: UF4003
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-200V 1A ULTRA FAST, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1N829A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: 1N5235B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 500MW, Zener Diode 6.8 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: MJ10016
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO HIV DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 50 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее