г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2317 NTE Electronics

Артикул
NTE2317
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 450V 15A TO3PN, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 450 V 15 A - 105 W Through Hole TO-3PN
Цена
1 106 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE2317.jpg
Supplier Device Package
TO-3PN
Power - Max
105 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 150mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 5A, 10V
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE2317
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N959B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35, Zener Diode 8.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP146
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 2N3819
Бренд: NTE Electronics
Описание: T- JFET N CHANNEL, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92
Подробнее
Артикул: NTE240
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 300V 500MA TO202N, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 60MHz 1 W Through Hole TO-202N
Подробнее
Артикул: 1N750A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N5771
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- RF/IF AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 15 V 200 mA - 350 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее