г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2339 NTE Electronics

Артикул
NTE2339
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 800V 3A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 30 W Through Hole TO-220
Цена
1 016 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/NTE2339.jpg
Supplier Device Package
TO-220
Power - Max
30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
800 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 300mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 200mA, 5V
Package / Case
TO-220-3
Standard Package
1
Other Names
2368-NTE2339
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Frequency - Transition
15MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5352B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 15V 5W AXIAL, Zener Diode 15 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5400
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-50 PRV 3A, Diode Standard 50 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: NTE102
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 24V 150MA TO5, Bipolar (BJT) Transistor PNP 24 V 150 mA - 150 mW Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: 1N5353B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 16V 5W AXIAL, Zener Diode 16 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N5257B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 33V 500MW, Zener Diode 33 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее
Артикул: MJ10021
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 250 V 60 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее