г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

NTE2380 NTE Electronics

Артикул
NTE2380
Бренд
NTE Electronics
Описание
MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220, N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
1 145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/NTE2380.jpg
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-220
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Bag
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2368-NTE2380
Standard Package
1
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6387
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP112
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N6052
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 12 A - 150 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 2N5195
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 2MHz 40 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: MPS4355
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AUDIO AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 100MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N971B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 27V 500MW DO35, Zener Diode 27 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее